半导体材料种类丰富多样，广泛应用于晶圆制造和封装工艺

半导体材料种类丰富多样，广泛应用于晶圆制造和封装工艺

半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电 子器件、光电子器件的重要材料。按照工艺的不同，可分为晶圆制造材料和封装材料。其中，晶圆制造材料主要包括硅片、特种气体、掩膜版、光刻胶、 光刻胶配套材料、(通用)湿电子化学品、靶材、 CMP 抛光材料等。封装材料主要有封装基板、引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料等。
按照代际, 可分为第一代、第二代和第三代。

1) 第一代半导体材料主要是指硅(Si)、错元素(Ge) 半导体材料。主要用于制造集成电路，并广泛应用于手机、电脑、平板、可穿戴、电视、航空航天以及新能源车、光伏等产业。

2) 第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如碑化#(GaAs)、锦化钮(InSb);三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP; 还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP 玻璃半导体(又称非晶态半导体)，如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体，如献菁、献菁铜钢、辈丙睛等。主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS 导航等领域。

3) 第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氨化#(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氨化铝(AIN)为代表的宽禁带(Eg>2.3eV)半导体材料。 主要应用于半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器等。相比于第一代、第二代半导体材料，第三代半导体材料禁带宽度更宽，击穿电场更高、热导率更高、电子饱和速率更高、抗辐射能力更强，因而更适合子 制作高温、高频、抗福射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料，也称为高温半导体材料。整体而言，全球半导体依然以硅材料为主，目前 95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由硅材料制作。

半导体产业链：

晶圈制造材料中，硅片为晶圆制造基底材料;光刻胶用于图形转移;电子特气用于氧化、还原、除杂;抛光材料用于实现平坦化。封装材料中，封装基板与引线框架起到保护芯片、支撑芯片、连接芯片与PCB 的作用，封装基板还具有散热功能;键合丝则用于连接芯片和引线框架。

半导体材料主要细分产品情况：

根据SEMI数据，2020年全球晶圆制造材料中，硅片占比最高，为 35%;电子气体排名第2,占比 13%;掩膜版排名第3，占比12%，光刻胶占比 6%;光刻胶配套材料占比8%;湿电子化学品占比 7%; CMP 抛光材料占比6%:靶材占比 2%。

2019年全球封装材料中，封装基板占比最高，为48%:引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料分列第2-6名，占比分别为15%、15%、10%、6%和3%。

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